是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-220F |
包装说明: | TO-220F, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 3.68 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 1111 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 28 A |
最大漏极电流 (ID): | 28 A | 最大漏源导通电阻: | 0.06 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 117 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 112 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDPF51N25YDTU | ONSEMI |
功能相似 |
功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,250V,51A,60mΩ,TO-220F | |
FDPF51N25 | ONSEMI |
功能相似 |
功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,250V,51A,60mΩ,TO-220F |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDPF51N25RDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
FDPF51N25RDTU | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 UniFETTM MOSFET 250 V,51 A,60 mΩ | |
FDPF51N25YDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFETTM MOSFET 250V, 51A, 60mΩ, TO220, MOLDED, 3LD, FULL PACK, EIAJ S | |
FDPF51N25YDTU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,250V,51A,60mΩ,TO-220F | |
FDPF52N20T | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 200V, 52A, 0.049ヘ | |
FDPF55N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET | |
FDPF55N06 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,60 V,55 A,22 mΩ,TO-22 | |
FDPF5N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4ヘ | |
FDPF5N50FT | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55ヘ | |
FDPF5N50FT | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 UniFETTM FRFET® MOSFET 500V,4.5A,1.55Ω |