是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 0.98 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 233 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 4.5 A | 最大漏源导通电阻: | 1.55 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 28 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 18 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDPF5N50FT_12 | FAIRCHILD |
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N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55Ω | |
FDPF5N50NZ | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FDPF5N50NZ | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM II,500 V,4.5 A,1.5 Ω, | |
FDPF5N50NZF | FAIRCHILD |
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N-Channel MOSFET 500V, 4.2A, 1.75Ω | |
FDPF5N50NZF | ONSEMI |
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N 沟道 UniFETTM II FRFET® MOSFET 500V,4.2A,1.75 | |
FDPF5N50NZU | FAIRCHILD |
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N-Channel UniFETTM II Ultra FRFETTM MOSFETï | |
FDPF5N50NZU | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM II,Ultra FRFETTM,500 | |
FDPF5N50T | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
FDPF5N50T | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,500 V,5 A,1.4 Ω,TO-22 | |
FDPF5N50UT | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET, FRFET |