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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDPF33N25TRDTU
FDPF33N25TRDTU PDF预览

FDPF33N25TRDTU

更新时间： 2024-11-23 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 833K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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FDPF33N25TRDTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220F
包装说明：,针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.7
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：33 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高工作温度：150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：37 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FDPF33N25TRDTU 数据手册

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May 2006  
TM  
UniFET  
FDPF33N25  
250V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
20A, 250V, RDS(on) = 0.094Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 36.8 nC)  
Low Crss ( typical 39 pF)  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
G
G D  
S
TO-220F  
FDPF Series  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDPF33N25  
Unit  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
250  
V
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
20  
12  
A
A
(Note 1)  
(Note 2)  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
80  
±30  
918  
20  
A
V
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
9.4  
4.5  
mJ  
V/ns  
Power Dissipation  
(TC = 25°C)  
94  
W
- Derate above 25°C  
0.76  
W/°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
°C  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
1.32  
Unit  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
--  
62.5  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDPF33N25 Rev A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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与FDPF33N25TRDTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDPF3860T FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 100V, 20A, 38.2
FDPF3860T ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，20A，38.2mΩ
FDPF3860TYDTU FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 20A, 38.2mΩ, TO220, MOLDED, 3LD, FUL
FDPF390N15A FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 15A, 40m
FDPF390N15A ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，15A，40mΩ
FDPF39N20 FAIRCHILD

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 		200V N-Channel MOSFET
FDPF39N20 ONSEMI

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FDPF39N20TLDTU ONSEMI

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 		N 沟道 UniFETTM MOSFET 200 V，39 A，66 mΩ
FDPF3N50NZ FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel UniFETTM II MOSFETï€
FDPF3N50NZ ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，500 V，3 A，2.5 Ω，TO

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