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FDPF3860TYDTU

更新时间： 2024-11-23 21:08:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 572K
描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 20A, 38.2mΩ, TO220, MOLDED, 3LD, FULL PACK, EIAJ SC91, Y FORMED LEAD, 800/RAIL

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FDPF3860TYDTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：33.8 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

FDPF3860TYDTU 数据手册

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December 2013  
FDPF3860T  
N-Channel PowerTrench MOSFET  
100 V, 20 A, 38.2 mΩ  
®
Features  
Description  
•
•
•
•
RDS(on) = 29.1 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 5.9 A  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has  
been tailored to minimize the on-state resistance while main-  
taining superior switching performance.  
Fast Switching Speed  
Low Gate Charge  
High Performance Trench Technology for Extremely Low  
RDS(on)  
Applications  
•
•
•
•
•
Consumer Appliances  
•
•
High Power and Current Handling Capability  
RoHS Compliant  
LCD/LED/PDP TV  
Synchronous Rectification  
Uninterruptible Power Supply  
Micro Solar Inverter  
D
G
G
D
S
TO-220F  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted.  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDPF3860T  
Unit  
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
100  
±20  
V
- Continuous (TC = 25oC)  
- Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
20  
ID  
Drain Current  
A
12.7  
80  
IDM  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
278  
20  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
3.4  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
15  
(TC = 25oC)  
- Derate Above 25oC  
33.8  
0.27  
-55 to +150  
300  
PD  
Power Dissipation  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temperature for Soldering, 1/8” from Case for 5 Seconds  
oC  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FDPF3860T  
3.7  
Unit  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.  
oC/W  
62.5  
www.fairchildsemi.com  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDPF3860T Rev. C5  
1
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDPF390N15A FAIRCHILD

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，15A，40mΩ
FDPF39N20 FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel MOSFET
FDPF39N20 ONSEMI

获取价格

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