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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDPF33N25T
FDPF33N25T PDF预览

FDPF33N25T

更新时间： 2024-02-05 15:22:20
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
10页 1211K
描述
N-Channel MOSFET

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FDPF33N25T 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Base Number Matches：1

FDPF33N25T 数据手册

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October  
TM  
UniFET  
FDP33N25 / FDPF33N25T  
250V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
33A, 250V, RDS(on) = 0.094Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 36.8 nC)  
Low Crss ( typical 39 pF)  
Fast switching  
Improved dv/dt capability  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
D
G
TO-220F  
FDPF Series  
TO-220  
FDP Series  
G D  
S
G
D S  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDP33N25 FDPF33N25T  
Unit  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
250  
V
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
33  
20.4  
33*  
20.4*  
A
A
(Note 1)  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
A
132  
132*  
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source voltage  
± 30  
918  
33  
V
mJ  
A
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
23.5  
4.5  
mJ  
V/ns  
Power Dissipation  
(TC = 25°C)  
235  
37  
W
- Derate above 25°C  
1.89  
0.29  
W/°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
°C  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
°C  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FDP33N25 FDPF33N25T  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
0.53  
0.5  
3.4  
--  
RθCS  
RθJA  
62.5  
62.5  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP33N25 / FDPF33N25T Rev. B  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...10

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FDPF33N25T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDPF33N25 FAIRCHILD

功能相似

 250V N-Channel MOSFET
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功能相似

 N-channel 250V - 0.14ヘ - 17A - TO-220/FP - DP

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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FDPF3860T ONSEMI

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FDPF3860TYDTU FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 20A, 38.2mΩ, TO220, MOLDED, 3LD, FUL
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