是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-220F |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, SC-91A, TO-220F, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.73 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 66 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 21 A |
最大漏极电流 (ID): | 21 A | 最大漏源导通电阻: | 0.025 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 26 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 84 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDPF33N25 | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET | |
FDPF33N25T | FAIRCHILD |
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N-Channel MOSFET | |
FDPF33N25T | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,250 V,33 A,94 mΩ,TO-2 | |
FDPF33N25TRDTU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
FDPF33N25TRDTU | ONSEMI |
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N 沟道 UniFETTM MOSFET 650V,15A,440 mΩ | |
FDPF3860T | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 100V, 20A, 38.2 | |
FDPF3860T | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,20A,38.2mΩ | |
FDPF3860TYDTU | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 20A, 38.2mΩ, TO220, MOLDED, 3LD, FUL | |
FDPF390N15A | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 15A, 40m | |
FDPF390N15A | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V,15A,40mΩ |