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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 0.96 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1110 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.23 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 38.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDPF24N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 400V, 24A, 0.175ヘ |
|
| FDPF26N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 400V, 26A, 0.16ヘ |
|
| FDPF2710T | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDPF2710T | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，250V，25A，42.5mΩ |
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| FDPF2D3N10C | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，222A，2.3m |
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| FDPF320N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 21A, 25mΠ|
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| FDPF320N06L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，60V，21A，25mΩ |
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| FDPF33N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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| FDPF33N25T | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| FDPF33N25T | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，250 V，33 A，94 mΩ，TO-2 |
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