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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 542 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (ID)： | 19 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 76 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDPF20N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FDPF20N50 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，20A，230 mΩ，TO-2 |
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| FDPF20N50F | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FDPF20N50FT | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFETTM FRFET® MOSFET 500 V, 20 A |
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| FDPF20N50FT | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，20 A，260 |
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| FDPF20N50T | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Factor Correction Converter Design |
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| FDPF20N50T | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，20A，230 mΩ，TO-2 |
|
| FDPF24N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 400V, 24A, 0.175ヘ |
|
| FDPF26N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 400V, 26A, 0.16ヘ |
|
| FDPF2710T | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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