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FDPF20N50F

更新时间： 2024-11-23 21:10:35

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
10页	489K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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FDPF20N50F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	38.5 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

FDPF20N50F 数据手册

August 2007

UniFET

FDP20N50F / FDPF20N50F

N-Channel MOSFET

500V, 20A, 0.26Ω

Features

Description

•

R_DS(on)= 0.21Ω ( Typ.)@ V_GS= 10V, I_D= 10A

Low gate charge ( Typ. 51.7nC)

Low C_rss( Typ. 33.5pF)

Fast switching

These N-Channel enhancement mode power field effect transis-

tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,

DMOS technology.

This advance technology has been especially tailored to mini-

mize on-state resistance, provide superior switching perfor-

mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and

commutation mode. These devices are well suited for high effi-

cient switching mode power supplies and active power factor

correction.

100% avalanche tested

Improve dv/dt capability

RoHS compliant

TO-220

FDP Series

TO-220F

FDPF Series

G D S

MOSFET Maximum Ratings T_C= 25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

V_GSS

Parameter

FDP20N50F FDPF20N50F

Units

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

500

±30

-Continuous (T_C= 25^oC)

-Continuous (T_C= 100^oC)

- P uls ed

12.9

20*

12.9*

80*

I_D

D r a in C u r r e n t

I_DM

D rai n Cur rent

(Note 1)

(Note 2)

(Note 1)

(Note 3)

E_AS

I_AR

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

1110

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

V/ns

W/^oC

^oC

4.5

(T_C= 25^oC)

- Derate above 25^oC

250

2.0

38.5

0.3

P_D

Power Dissipation

T_J, T_STG

T_L

Operating and Storage Temperature Range

-55 to +150

Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,

1/8” from Case for 5 Seconds

300

^oC

*Drain current limited by maximum junction temperature

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Thermal Resistance, Junction to Case

FDP20N50F FDPF20N50F

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

0.5

3.3

Thermal Resistance, Case to Sink Typ.

Thermal Resistance, Junction to Ambient

^oC/W

62.5

FDP20N50F / FDPF20N50F Rev. A

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6 7...10

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与FDPF20N50F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDPF20N50FT	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel UniFETTM FRFETÂ® MOSFET 500 V, 20 A
FDPF20N50FT	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，20 A，260
FDPF20N50T	FAIRCHILD	获取价格	Power Factor Correction Converter Design
FDPF20N50T	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，20A，230 mΩ，TO-2
FDPF24N40	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel MOSFET 400V, 24A, 0.175ヘ
FDPF26N40	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel MOSFET 400V, 26A, 0.16ヘ
FDPF2710T	FAIRCHILD	获取价格	250V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDPF2710T	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，250V，25A，42.5mΩ
FDPF2D3N10C	ONSEMI	获取价格	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，222A，2.3m
FDPF320N06L	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET 60V, 21A, 25mÎ

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