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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDPF20N50FT
FDPF20N50FT PDF预览

FDPF20N50FT

更新时间： 2024-11-23 12:27:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 429K
描述
N-Channel UniFETTM FRFET® MOSFET 500 V, 20 A, 260 m

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FDPF20N50FT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220F
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.72
雪崩能效等级（Eas）：1110 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.26 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：38.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDPF20N50FT 数据手册

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March 2013  
FDP20N50F / FDPF20N50FT  
TM  
®
N-Channel UniFET FRFET MOSFET  
500 V, 20 A, 260 m  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
RDS(on) = 210 m(Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 10 A  
Low Gate Charge (Typ. 50 nC)  
Low Crss (Typ. 27 pF)  
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s high voltage  
MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology.  
This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to  
provide better switching performance and higher avalanche  
energy strength. The body diode’s reverse recovery performance  
of UniFET FRFET® MOSFET has been enhanced by lifetime  
control. Its trr is less than 100nsec and the reverse dv/dt immu-  
nity is 15V/ns while normal planar MOSFETs have over 200nsec  
and 4.5V/nsec respectively. Therefore, it can remove additional  
component and improve system reliability in certain applications  
in which the performance of MOSFET’s body diode is significant.  
This device family is suitable for switching power converter appli-  
cations such as power factor correction (PFC), flat panel display  
(FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.  
100% Avalanche Aested  
Improve dv/dt Capability  
RoHS Compliant  
Applications  
•
•
•
•
LCD/LED/PDP TV  
Lighting  
Uninterruptible Power Supply  
AC-DC Power Supply  
D
G
G
G
D
S
TO-220  
D
TO-220F  
S
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDP20N50F FDPF20N50FT Unit  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
500  
±30  
V
V
- Continuous (TC = 25oC)  
- Continuous (TC = 100oC)  
- P uls ed  
20  
12.9  
80  
20*  
12.9*  
80*  
ID  
D r a in C u r r e n t  
A
IDM  
D rai n Cur rent  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
1110  
20  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
25  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
20  
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
250  
2.0  
38.5  
0.3  
PD  
Power Dissipation  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
oC  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FDP20N50F FDPF20N50FT Unit  
RJC  
RCS  
RJA  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
Thermal Resistance, Case to Sink, Typ.  
0.5  
0.5  
3.3  
-
oC/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.  
62.5  
62.5  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP20N50F/ FDPF20N50FT Rev. C1  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...10

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与FDPF20N50FT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDPF20N50T FAIRCHILD

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 		Power Factor Correction Converter Design
FDPF20N50T ONSEMI

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FDPF24N40 FAIRCHILD

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 		250V N-Channel MOSFET

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