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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDPF20N50FT
FDPF20N50FT PDF预览

FDPF20N50FT

更新时间： 2024-02-11 13:54:38
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 429K
描述
N-Channel UniFETTM FRFET® MOSFET 500 V, 20 A, 260 m

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FDPF20N50FT 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：0.96雪崩能效等级（Eas）：1110 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.23 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：38.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDPF20N50FT 数据手册

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March 2013  
FDP20N50F / FDPF20N50FT  
TM  
®
N-Channel UniFET FRFET MOSFET  
500 V, 20 A, 260 m  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
RDS(on) = 210 m(Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 10 A  
Low Gate Charge (Typ. 50 nC)  
Low Crss (Typ. 27 pF)  
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s high voltage  
MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology.  
This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to  
provide better switching performance and higher avalanche  
energy strength. The body diode’s reverse recovery performance  
of UniFET FRFET® MOSFET has been enhanced by lifetime  
control. Its trr is less than 100nsec and the reverse dv/dt immu-  
nity is 15V/ns while normal planar MOSFETs have over 200nsec  
and 4.5V/nsec respectively. Therefore, it can remove additional  
component and improve system reliability in certain applications  
in which the performance of MOSFET’s body diode is significant.  
This device family is suitable for switching power converter appli-  
cations such as power factor correction (PFC), flat panel display  
(FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.  
100% Avalanche Aested  
Improve dv/dt Capability  
RoHS Compliant  
Applications  
•
•
•
•
LCD/LED/PDP TV  
Lighting  
Uninterruptible Power Supply  
AC-DC Power Supply  
D
G
G
G
D
S
TO-220  
D
TO-220F  
S
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDP20N50F FDPF20N50FT Unit  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
500  
±30  
V
V
- Continuous (TC = 25oC)  
- Continuous (TC = 100oC)  
- P uls ed  
20  
12.9  
80  
20*  
12.9*  
80*  
ID  
D r a in C u r r e n t  
A
IDM  
D rai n Cur rent  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
1110  
20  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
25  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
20  
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
250  
2.0  
38.5  
0.3  
PD  
Power Dissipation  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
oC  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FDP20N50F FDPF20N50FT Unit  
RJC  
RCS  
RJA  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
Thermal Resistance, Case to Sink, Typ.  
0.5  
0.5  
3.3  
-
oC/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.  
62.5  
62.5  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP20N50F/ FDPF20N50FT Rev. C1  
1
www.fairchildsemi.com  
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与FDPF20N50FT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDPF20N50T FAIRCHILD

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 		Power Factor Correction Converter Design
FDPF20N50T ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，20A，230 mΩ，TO-2
FDPF24N40 FAIRCHILD

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FDPF33N25 FAIRCHILD

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 		250V N-Channel MOSFET

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