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FDP120AN15A0

更新时间: 2022-11-26 19:09:25
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
11页 245K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET

FDP120AN15A0 数据手册

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Typical Characteristics TC = 25°C unless otherwise noted  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
I
= 250µA  
D
V
= V , I = 250µA  
DS D  
GS  
-80  
-40  
0
40  
80  
120  
o
160  
200  
-80  
-40  
0
40  
80  
120  
160  
200  
o
T , JUNCTION TEMPERATURE ( C)  
T , JUNCTION TEMPERATURE ( C)  
J
J
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs  
Junction Temperature  
Figure 12. Normalized Drain to Source  
Breakdown Voltage vs Junction Temperature  
1000  
10  
V
= 75V  
DD  
C
= C + C  
GS GD  
ISS  
8
6
4
2
0
C
C
+ C  
OSS  
DS GD  
100  
C
= C  
GD  
RSS  
WAVEFORMS IN  
DESCENDING ORDER:  
10  
5
I
I
= 14A  
= 4A  
D
D
V
= 0V, f = 1MHz  
1
GS  
0
4
8
12  
0.1  
10  
150  
V
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Q , GATE CHARGE (nC)  
g
DS  
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source  
Voltage  
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant  
Gate Currents  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP120AN15A0 / FDD120AN15A0 Rev. B  

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