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FDN337ND87Z

更新时间： 2024-11-14 05:06:47

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	276K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3

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FDN337ND87Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.47	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	2.2 A	最大漏源导通电阻：	0.065 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

FDN337ND87Z 数据手册

March 1998

FDN337N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

SuperSOT^TM-3 N-Channel logic level enhancement mode

power field effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This very

high density process is especially tailored to minimize

on-state resistance. These devices are particularly suited for

low voltage applications in notebook computers, portable

phones, PCMCIA cards, and other battery powered circuits

where fast switching, and low in-line power loss are needed

in a very small outline surface mount package.

2.2 A, 30 V, R_DS(ON)= 0.065 W @ V_GS= 4.5 V

R_DS(ON)= 0.082 W @ V_GS= 2.5 V.

Industry standard outline SOT-23 surface mount

package using proprietary SuperSOT^TM-3 design for

superior thermal and electrical capabilities.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current

capability.

SuperSOT^TM-8

SuperSOT^TM-6

SOT-23

SOIC-16

SO-8

SOT-223

SuperSOT^TM-3

Absolute Maximum Ratings T_A= 25^oC unless other wise noted

Symbol Parameter

FDN337N

Units

Drain-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage - Continuous

±8

Drain/Output Current - Continuous

- Pulsed

2.2

P_D

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

0.5

0.46

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

250

°C/W

R_q_JA

R_q_JC

(Note 1)

FDN337N Rev.C

12 3 4 5

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与FDN337ND87Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDN337N-F169	ONSEMI	获取价格	N 沟道，逻辑电平增强型场效应晶体管，30V，2.2A，65mΩ
FDN337NL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDN338	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDN338P	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDN338P	TYSEMI	获取价格	SuperSOT-3
FDN338P	HTSEMI	获取价格	20 V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
FDN338P	ONSEMI	获取价格	P 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-1.6A，1
FDN338P	UMW	获取价格	漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-2.8A;栅极-源
FDN338P	HOTTECH	获取价格	SOT-23
FDN338P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

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