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FDN339AN

更新时间： 2024-11-16 11:13:15

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
6页	266K
描述
N 沟道，2.5V 指定，PowerTrench® MOSFET，20V，3A，35mΩ

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FDN339AN 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.75
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.035 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDN339AN 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

MOSFET – N-Channel

POWERTRENCH⁾

SOT−23,

CASE 527AG

2.5 V Specified

FDN339AN

Description

This N−Channel 2.5 V specified MOSFET is produced using

onsemi’s advanced PowerTrench process that has been especially

tailored to minimize the on−state resistance and yet maintain low gate

charge for superior switching performance.

Features

• 3 A, 20 V

MARKING DIAGRAM

♦ R

= 0.035 ꢀ ꢁ V = 4.5 V

DS(on)

= 0.050 ꢀ ꢁ V = 2.5 V

DS(on)

• Low Gate Charge (7 nC Typical)

• High Performance Trench technology for Extremely Low R

• High Power and Current Handling Capability

DS(ON)

339MG

Typical Applications

• DC−DC Converter

• Load Switch

339 = Specific Device Code

= Month Code

= Pb−Free Package

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25°C unless otherwise noted

ORDERING INFORMATION

Symbol

Parameter

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Value

Unit

†

Device

Shipping

3000 /

Tape & Reel

Package

DSS

GSS

FDN339AN

SOT−23

(Pb−Free)

Drain Current

− Continuous (Note 1a)

− Pulsed

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Power Dissipation for Single

Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

0.5

0.46

T , T

Operating and Storage Junction

Temperature Range

−55 to +150

°C

stg

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

Publication Order Number:

February, 2023 − Rev 4

FDN339AN/D

12 3 4 5 6

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FDN339AN 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDN339AN	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

与FDN339AN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDN339AND87Z	ONSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDN340	FAIRCHILD	获取价格	Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDN340P	ONSEMI	获取价格	单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-20V，-2A，70mΩ
FDN340P	FAIRCHILD	获取价格	Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDN340P	TYSEMI	获取价格	SuperSOT-3
FDN340P	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C
FDN340P_07	FAIRCHILD	获取价格	Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench?MOSFET
FDN340P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDN340PL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDN340PS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o

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