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FDN340P

更新时间： 2024-09-28 17:15:31

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
3页	583K
描述
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-2A;Vgs(th)(V):±8;漏源导通电阻:70mΩ@-4.5V

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FDN340P 数据手册

UMW

UMW FDN340P

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

P-Channel 20-V(D-S) MOSFET

FDN340P

V(BR)DSS

RDS(on)MAX

70mΩ@ -4.5V

110mΩ@ -2.5V

210mΩ@ -1.8V

-20 V

-2A

FEATURE

APPLICATION

● TrenchFET Power MOSFET

● Supper high density cell design

※ Battery protection

※ Load switch

※Battery management

MARKING

Equivalent Circuit

SOT–23

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

Maximum ratings ( Ta=25℃ unless otherwise noted)

Parameter Symbol

Value

-20

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

VDS

VGS

±8

Continuous Drain Current

Pulsed Diode Curren

-2

IDM

-10

Power Dissipation

1.1

℃/W

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient (t≤10s)

Operating Junction

RθJA

250

150

Storage Temperature

TSTG

-55~+150

℃

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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