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FDN340P

更新时间： 2024-09-25 11:10:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 303K
描述
单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-20V，-2A，70mΩ

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FDN340P 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.96
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：70 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN (SN)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDN340P 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Single, P-Channel,  
POWERTRENCH), Logic  
Level  
SOT−23  
CASE 527AG  
FDN340P  
D
General Description  
This P−Channel Logic Level MOSFET is produced using onsemi  
advanced POWERTRENCH process that has been especially tailored  
to minimize the on−state resistance and yet maintain low gate charge  
for superior switching performance.  
G
S
These devices are well suited for portable electronics applications:  
load switching and power management, battery charging circuits, and  
dc−dc conversion.  
MARKING DIAGRAM  
Features  
Drain  
3
• −2 A, 20 V  
♦ R  
♦ R  
= 70 mW @ V = −4.5 V  
GS  
DS(ON)  
340M  
= 110 mW @ V = −2.5 V  
DS(ON)  
GS  
• Low Gate Charge (7.2 nC Typical)  
1
Gate  
2
Source  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
DS(ON)  
• High Power Version of Industry Standard SOT−23 Package. Identical  
Pin−Out to SOT−23 with 30% Higher Power Handling Capability  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
M = Date Code  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
V
Drain−Source Voltage  
−20  
V
DSS  
GSS  
Gate−Source Voltage  
8
V
V
Drain Current  
Continuous (Note 1a)  
Pulsed  
A
I
D
−2  
−10  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
W
P
D
0.5  
0.46  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
_C  
−55 to +150  
T , T  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality  
should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction−to−Case (Note 1)  
Ratings  
250  
Unit  
°C/W  
°C/W  
R
θ
JA  
JC  
75  
R
θ
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
May, 2022 − Rev. 8  
FDN340P/D  
123456

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FDN340P 替代型号

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