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FDN338P

更新时间： 2024-09-28 11:12:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 267K
描述
P 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-1.6A，115mΩ

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FDN338P 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：0.96其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.6 A最大漏极电流 (ID)：1.6 A
最大漏源导通电阻：0.115 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDN338P 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – P-Channel, 2.5 V  
Specified, POWERTRENCH)  
SOT−23/SUPERSOTt −23, 3 LEAD,  
FDN338P  
1.4x2.9  
CASE 527AG  
General Description  
This P−Channel 2.5 V specified MOSFET uses onsemi’s advanced  
low voltage POWERTRENCH process. It has been optimized for  
battery power management applications.  
D
Features  
• –1.6 A, –20 V  
R
R
= 115 mW @ V = –4.5 V  
GS  
DS(ON)  
= 155 mW @ V = –2.5 V  
DS(ON)  
GS  
G
S
• Fast Switching Speed  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
DS(ON)  
• SUPERSOTt−3 Provides Low R  
and 30% Higher Power  
DS(ON)  
MARKING DIAGRAM  
Handling Capability than SOT−23 in the Same Footprint  
• This is a Pb−Free and Halide Free Device  
338MG  
G
Applications  
• Battery Management  
• Load Switch  
• Battery Protection  
338 = Specific Device Code  
M
G
= Month Code  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Value  
–20  
8
Unit  
V
ORDERING INFORMATION  
V
DSS  
V
GSS  
Gate−Source Voltage  
V
†
Device  
Package  
Shipping  
I
Drain Current  
– Continuous  
– Pulsed  
A
D
FDN338P  
SOT−23  
(Pb−Free/  
Halide Free)  
3000 /  
Tape & Reel  
–1.6  
–5  
P
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
W
D
0.5  
0.46  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient (Note 1a)  
250  
°C/W  
q
JA  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case (Note 1)  
75  
°C/W  
q
JC  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
April, 2023 − Rev. 6  
FDN338P/D  
123456

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与FDN338P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDN338P_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN338PL99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN338PS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN338P-T/R ONSEMI

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN339AN TYSEMI

获取价格

 		SuperSOT-3
FDN339AN FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDN339AN ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，2.5V 指定，PowerTrench® MOSFET，20V，3A，35mΩ
FDN339AN UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDN339AND87Z ONSEMI

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDN340 FAIRCHILD

获取价格

 		Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

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