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FDN338PS62Z

更新时间： 2024-11-15 19:49:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 267K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3

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FDN338PS62Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.32其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：1.6 A最大漏源导通电阻：0.115 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDN338PS62Z 数据手册

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September 2001  
FDN338P  
P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses  
Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process.  
It has been optimized for battery power management  
applications.  
· –1.6 A, –20 V. RDS(ON) = 115 mW @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 155 mW @ VGS = –2.5 V  
· Fast switching speed  
Applications  
· High performance trench technology for extremely  
·
·
·
Battery management  
Load switch  
low RDS(ON)  
· SuperSOTTM -3 provides low RDS(ON) and 30% higher  
power handling capability than SOT23 in the same  
footprint  
Battery protection  
D
D
S
S
G
SuperSOTTM-3  
G
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
–20  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
A
±8  
–1.6  
–5  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.5  
W
0.46  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
250  
75  
RqJA  
°C/W  
°C/W  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.338  
FDN338P  
7’’  
8mm  
3000 units  
Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDN338P Rev F(W)  
12345

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与FDN338PS62Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDN338P-T/R ONSEMI

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN339AN TYSEMI

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 		SuperSOT-3
FDN339AN FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDN339AN ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，2.5V 指定，PowerTrench® MOSFET，20V，3A，35mΩ
FDN339AN UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDN339AND87Z ONSEMI

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDN340 FAIRCHILD

获取价格

 		Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDN340P ONSEMI

获取价格

 		单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-20V，-2A，70mΩ
FDN340P FAIRCHILD

获取价格

 		Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDN340P TYSEMI

获取价格

 		SuperSOT-3

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