Datasheet > FDN338P

FDN338P

更新时间： 2024-09-28 17:15:55

品牌	Logo	应用领域
友台半导体 - UMW		栅栅极
页数	文件大小	规格书
2页	596K
描述
漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-2.8A;栅极-源极阈值电压:1.5V @ 250uA;漏源导通电阻:112mΩ@-4.5V;最大功耗（Ta = 25°C）:500mW;种类:P-Channel;Vgs(th)(V):±8

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FDN338P 数据手册

UMW

UMW FDN338P

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

P-Channel 20-V(D-S) MOSFET

FDN338

SOT–23

I_D

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

-4.5V

112m

-20

-2.8

142mΩ -2.5V

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

FEATURE

APPLICATION

TrenchFET Power MOSFET

Load Switch for Portable Devices

DC/DC Converter

MARKING

Equivalent Circuit

338

Maximum ratings (T^a=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Value

Unit

V_DS

V_GS

I_D

-20

±8

Gate-Source Voltage

-2.8

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

I_DM

I_S

-10

Continuous Source-Drain Diode Current

Maximum Power Dissipation

-0.72

0.4

P_D

Thermal Resistance from Junction to Ambient(t ≤5s)

Junction Temperature

312.5

150

℃/W

T_J

℃

Storage Temperature

T_stg

-55 ~+150

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

中文翻译

下载PDF

与FDN338P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDN338P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN338PL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN338PS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN338P-T/R	ONSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN339AN	TYSEMI	获取价格	SuperSOT-3
FDN339AN	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDN339AN	ONSEMI	获取价格	N 沟道，2.5V 指定，PowerTrench® MOSFET，20V，3A，35mΩ
FDN339AN	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDN339AND87Z	ONSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDN340	FAIRCHILD	获取价格	Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET