是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 26 weeks | 风险等级: | 0.95 |
雪崩能效等级(Eas): | 253 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 40 A | 最大漏极电流 (ID): | 10 A |
最大漏源导通电阻: | 0.013 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N4 | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 59 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 120 A |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS8095AC | ONSEMI |
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双 N 和 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V | |
FDMS8320L | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 100 A, 1 | |
FDMS8320L | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,248A,1.1mΩ | |
FDMS8320LDC | FAIRCHILD |
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DUAL COOL⢠PACKAGE POWERTRENCH® MOSFETs | |
FDMS8320LDC | ONSEMI |
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N 沟道双 CoolTM 56 Power Trench® MOSFET 40V,192A | |
FDMS8333 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 40V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDMS8333L | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET | |
FDMS8333L | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,76A,3.1mΩ | |
FDMS8350L | ONSEMI |
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40V N沟道PowerTrench® MOSFET | |
FDMS8350LET40 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,300A,0.85mΩ |