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FDMS8560S

更新时间： 2024-09-25 12:23:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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8页 311K
描述
N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 25 V, 70 A, 1.8 mΩ

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FDMS8560S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWER 56, QFN-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：79 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.0018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：65 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：150 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMS8560S 数据手册

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April 2012  
FDMS8560S  
N-Channel PowerTrench® SyncFETTM  
25 V, 70 A, 1.8 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 1.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 30 A  
„ Max rDS(on) = 2.1 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 28 A  
„ High performance technology for extremely low rDS(on)  
„ SyncFETTM Schottky Body Diode  
„ RoHS Compliant  
This N-Channel SyncFETTM is produced using Fairchild  
Semiconductor’s  
advanced  
PowerTrench®  
process.  
Advancements in both silicon and package technologies have  
been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining  
excellent switching performance by extremely low Junction-to-  
Ambient thermal resistance. This device has the added benefit  
of an efficient monolithic Schottky body diode.  
Applications  
„ Synchronous Rectifier for DC/DC Converters  
„ Telecom Secondary Side Rectification  
„ High End Server/Workstation Vcore Low Side  
Bottom  
Top  
Pin 1  
D
D
D
G
5
6
7
8
4
3
2
1
S
S
S
G
S
S
S
D
D
D
D
D
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
25  
V
V
12  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
70  
ID  
(Note 1a)  
(Note 3)  
30  
150  
A
-Pulsed  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
79  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
65  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
1.9  
50  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
05OD  
FDMS8560S  
Power 56  
3000 units  
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS8560S Rev.D1  
1
www.fairchildsemi.com  
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FDMS8560S 替代型号

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