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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | QFN |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 8.53 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 216 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 76 A | 最大漏极电流 (ID)： | 22 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0031 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-240AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 69 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 250 A | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMS8350L | ONSEMI |
获取价格 |
40V N沟道PowerTrench® MOSFET |
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| FDMS8350LET40 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，300A，0.85mΩ |
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| FDMS8460 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 40V, 49A, 2.2m |
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| FDMS8460 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，40V，49A，2.2mΩ |
|
| FDMS8558S | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® SyncFETTM |
|
| FDMS8558S | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，25V，90A，1.5 |
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| FDMS8558SDC | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 25 V, 90 A, |
|
| FDMS8558SDC | ONSEMI |
获取价格 |
25V N沟道PowerTrench® SyncFET™ |
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| FDMS8560S | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 25 V, 70 A, |
|
| FDMS8560S | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，25V，70A，1.8mΩ |
|
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