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FDMS8558SDC

更新时间： 2024-09-25 12:23:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 278K
描述
N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 25 V, 90 A, 1.5 mΩ

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FDMS8558SDC 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWER 56, QFN-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.95
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：145 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：90 A
最大漏极电流 (ID)：38 A最大漏源导通电阻：0.0015 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：89 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMS8558SDC 数据手册

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June 2012  
FDMS8558SDC  
N-Channel PowerTrench® SyncFETTM  
25 V, 90 A, 1.5 mΩ  
Features  
General Description  
„ Dual CoolTM PQFN package  
This N-Channel SyncFETTM is produced using Fairchild  
Semiconductor’s  
advanced  
PowerTrench® process.  
„ Max rDS(on) = 1.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 38 A  
„ Max rDS(on) = 1.7 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 36 A  
„ High performance technology for extremely low rDS(on)  
„ SyncFETTM Schottky Body Diode  
„ RoHS Compliant  
Advancements in both silicon and package technologies have  
been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining  
excellent switching performance by extremely low Junction-to-  
Ambient thermal resistance. This device has the added benefit  
of an efficient monolithic Schottky body diode.  
Applications  
„ Synchronous Rectifier for DC/DC Converters  
„ Telecom Secondary Side Rectification  
„ High End Server/Workstation Vcore Low Side  
S
S
D
D
D
G
5
6
7
8
4
3
2
1
S
G
Pin 1  
S
S
S
D
D
D
D
D
Top  
Power 56  
Bottom  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
25  
V
V
12  
90  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
ID  
(Note 1a)  
(Note 3)  
38  
A
-Pulsed  
140  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
145  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
89  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
3.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
(Top Source)  
(Bottom Drain)  
(Note 1a)  
2.8  
1.4  
38  
81  
16  
23  
11  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1b)  
°C/W  
(Note 1i)  
(Note 1j)  
(Note 1k)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
09DC  
FDMS8558SDC  
Power 56  
13’’  
3000 units  
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS8558SDC Rev.C  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS8560S FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 25 V, 70 A,
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 		N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，25V，70A，1.8mΩ
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 		N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 25 V, 60 A,
FDMS8570S ONSEMI

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 		25V N沟道PowerTrench® SyncFET™
FDMS8570SDC FAIRCHILD

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 		DUAL COOL™ PACKAGE POWERTRENCH® MOSFETs
FDMS8570SDC ONSEMI

获取价格

 		25V N沟道PowerTrench® SyncFET™
FDMS86101 FAIRCHILD

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，60A，8mΩ
FDMS86101_12 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 60 A, 8
FDMS86101A FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 60 A, 8

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