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FDMS8333

更新时间： 2024-09-25 20:02:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 269K
描述
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 40V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA, ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN

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FDMS8333 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.74雪崩能效等级（Eas）：864 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：25 A
最大漏源导通电阻：0.0022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240AAJESD-30 代码：R-PDSO-N5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS8333 数据手册

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August 2012  
FDMS8333  
N-Channel Power Trench® MOSFETꢀ  
40V, 49A, 2.2m:  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 2.2m: at VGS = 10V, ID = 25A  
„ Max rDS(on) = 3.0m: at VGS = 4.5V, ID = 21.7A  
„ Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on)  
„ MSL1 robust package design  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor‘s advanced Power Trench® process thant has  
been especially tailored to minimize the on-state resistance and  
yet maintain superior switching performance.  
Application  
„ 100% UIL tested  
„ DC - DC Conversion  
„ RoHS Compliant  
Top  
Bottom  
Pin 1  
S
G
S
S
S
4
3
2
1
5
6
7
8
D
D
D
D
S
S
G
D
D
D
D
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
40  
20  
V
V
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TA = 25°C  
49  
167  
ID  
A
(Note 1a)  
(Note 3)  
25  
-Pulsed  
160  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
864  
mJ  
W
TC = 25°C  
TA = 25°C  
104  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RTJC  
RTJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
1.2  
50  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
PCHVN  
FDMS8333  
Power 56  
3000 units  
1
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS8333 Rev.C  
www.fairchildsemi.com  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS8333L FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET
FDMS8333L ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，76A，3.1mΩ
FDMS8350L ONSEMI

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 		40V N沟道PowerTrench® MOSFET
FDMS8350LET40 ONSEMI

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