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FDM84100

更新时间： 2024-01-01 22:30:36

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安森美 - ONSEMI		/
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7页	234K
描述
Power Field-Effect Transistor

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FDM84100 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

FDM84100 数据手册

Typical Characteristics T_J= 25 °C unless otherwise noted

2000

1000

C_iss

V_DD= 50 V

I_D= 7 A

C_oss

V_DD= 25 V

V_DD= 75 V

100

C_rss

f = 1 MHz

V_GS= 0 V

0.1

100

V_DS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

Q , GATE CHARGE (nC)

Figure8. Capacitance vs Drain

to Source Voltage

Figure 7. Gate Charge Characteristics

R_θJC= 5.3 ^oC/W

T_J= 25 ^o

V_GS= 10 V

T_J= 100 ^o

Limited by Package

T_J= 125 ^o

V_GS= 6 V

0.001

0.01

0.1

100

125

150

T_C, CASE TEMPERATURE (^oC)

t_AV, TIME IN AVALANCHE (ms)

Figure9. U n c l a m p e d I n d u c t i v e

Switching Capability

Figure10.M a x i m u m C o n t i n u o u s D r a i n

Current vs Case Temperature

200

100

10000

SINGLE PULSE

_θJC= 5.3 ^oC/W

T_C= 25 ^oC

10 µs

1000

100

THIS AREA IS

LIMITED BY r_DS(on)

100 µs

SINGLE PULSE

T_J= MAX RATED

_θJC= 5.3 ^oC/W

T_C= 25 ^oC

1 ms

CURVE BENT TO

MEASURED DATA

10 ms

0.1

10^-5

10^-4

10^-3

t, PULSE WIDTH (sec)

10^-2

10^-1

100

300

V_DS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 12. Single Pulse Maximum

Power Dissipation

Figure11. ForwardBiasSafe

Operating Area

www.fairchildsemi.com

FDMD84100 Rev.C

1 2 345 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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