是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, MICROFET-6 |
针数: | 229 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.36 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 3.7 A | 最大漏源导通电阻: | 0.072 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 135 pF |
JEDEC-95代码: | MO-229VCCC | JESD-30 代码: | S-PDSO-N6 |
JESD-609代码: | e4 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
认证状态: | COMMERCIAL | 表面贴装: | YES |
端子面层: | NICKEL PALLADIUM GOLD | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
FDMA1023PZ_08 | FAIRCHILD | Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
获取价格 |
|
FDMA1023PZ-F106 | ONSEMI | 双 P 沟道,Power Trench® MOSFET,-20V,-3.7A,72mΩ |
获取价格 |
|
FDMA1024NZ | FAIRCHILD | Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 20 V, 5.0 |
获取价格 |
|
FDMA1024NZ | ONSEMI | 双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V,5.0A,54mΩ |
获取价格 |
|
FDMA1025P | FAIRCHILD | Dual P-Channel PowerTrench MOSFET -20V, -3.1A, 105mohm |
获取价格 |
|
FDMA1025P | ONSEMI | 双 P 沟道,Power Trench® MOSFET,-20V,-3.1A,155mΩ |
获取价格 |