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FDMA1023PZ

更新时间： 2024-02-27 23:23:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 228K
描述
双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-20V，-3.7A，72mΩ

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FDMA1023PZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, MICROFET-6
针数：229Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.36外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：3.7 A最大漏源导通电阻：0.072 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：135 pF
JEDEC-95代码：MO-229VCCCJESD-30 代码：S-PDSO-N6
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMA1023PZ 数据手册

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FDMA1023PZ  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
86  
Unit  
Thermal Resistance for Single Operation, Junction to Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance for Single Operation, Junction to Ambient (Note 1b)  
Thermal Resistance for Dual Operation, Junction to Ambient (Note 1c)  
Thermal Resistance for Dual Operation, Junction to Ambient (Note 1d)  
°C/W  
R
R
R
R
ꢁ
ꢁ
ꢁ
ꢁ
JA  
JA  
JA  
JA  
173  
69  
151  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
BV  
Drain−Source Breakdown Voltage  
I
I
= −250 ꢂ A, V = 0 V  
−20  
−
−
−
V
DSS  
D
GS  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
= −250 ꢂ A, referenced to 25°C  
−
−11  
mV/°C  
ꢃ BVDSS  
ꢃ TJ  
D
I
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate to Source Leakage Current  
V
V
= −16 V, V = 0 V  
−
−
−
−
−1  
ꢂ A  
ꢂ A  
DSS  
GSS  
DS  
GS  
I
=
8 V, V = 0 V  
10  
GS  
DS  
ON CHARACTERISTICS  
V
Gate to Source Threshold Voltage  
I
I
= −250 ꢂ A, V = V  
DS  
−0.4  
−0.7  
−1.0  
V
GS(th)  
D
GS  
Gate to Source Threshold Voltage  
Temperature Coefficient  
= −250 ꢂ A, referenced to 25°C  
−
2.5  
−
mV/°C  
ꢃ VGS(th)  
ꢃ TJ  
D
R
Static Drain to Source  
V
V
V
V
V
= −4.5 V, I = −3.7 A  
−
−
−
−
−
−
60  
75  
72  
95  
mꢀ  
DS(on)  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
D
On−Resistance  
= −2.5 V, I = −3.2 A  
D
= −1.8 V, I = −2.0 A  
100  
130  
81  
130  
195  
91  
D
= −1.5 V, I = −1.0 A  
D
= −4.5 V, I = −3.7 A, T = 125°C  
D
J
g
FS  
Forward Transconductance  
I
D
= −3.7 A, V = −5 V  
12  
−
S
DS  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
C
Input Capacitance  
V
DS  
= −10 V, V = 0 V, f = 1 MHz  
−
−
−
490  
100  
90  
655  
135  
135  
pF  
pF  
pF  
iss  
GS  
C
Output Capacitance  
oss  
C
Reverse Transfer Capacitance  
rss  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
t
t
Turn−On Delay Time  
Rise Time  
V
V
= −10 V, I = −1 A  
−
−
−
−
−
−
−
9
18  
22  
103  
60  
12  
−
ns  
ns  
d(on)  
DD  
GS  
D
= −4.5 V, R  
= 6 ꢀ  
GEN  
t
r
12  
64  
37  
8.6  
0.7  
2.0  
Turn−Off Delay Time  
Fall Time  
ns  
d(off)  
t
f
ns  
Q
Total Gate Charge  
Gate to Source Gate Charge  
Gate to Drain “Miller” Charge  
V
DD  
V
GS  
= −10 V, I = −3.7 A,  
nC  
nC  
nC  
g(TOT)  
D
= −4.5 V  
Q
Q
gs  
gd  
−
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Maximum Continuous Source−Drain Diode Forward Current  
I
S
−
−
−
−
−
−0.8  
32  
−1.1  
−1.2  
48  
A
V
V
Source to Drain Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
V
= 0 V, I = −1.1 A (Note 2)  
SD  
GS S  
t
I = −3.7 A, di/dt = 100 A/ꢂ s  
F
ns  
nC  
rr  
Q
Reverse Recovery Charge  
15  
23  
rr  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
www.onsemi.com  
2
1234567

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