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EFA018A

更新时间： 2024-01-25 00:32:33

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Low Distortion GaAs Power FET

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EFA018A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	12 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	KU BAND	JESD-30 代码：	R-XUUC-N4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

EFA018A 数据手册

EFA018A

Excelics

DATA SHEET

Low Distortion GaAs Power FET

•

VERY HIGH fmax: 100GHz

+18.5dBm TYPICAL OUTPUT POWER

11.5dB TYPICAL POWER GAIN AT 12GHz

320

TYPICAL 1.1dB NOISE FIGURE AND 10.5dB ASSOCIATED

GAIN AT 12GHz

290

154

•

0.3 X 180 MICRON RECESSED “MUSHROOM” GATE

Si₃N₄PASSIVATION

ADVANCED EPITAXIAL DOPING PROFILE

PROVIDES HIGH POWER EFFICIENCY,

LINEARITY AND RELIABILITY

80 90

•

Idss SORTED IN 5mA PER BIN RANGE

Chip Thickness: 75 ± 13 microns

All Dimensions In Microns

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a= 25 ^OC)

SYMBOLS

PARAMETERS/TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX UNIT

Output Power at 1dB Compression

Vds=6V, Ids=50% Idss

Gain at 1dB Compression

Vds=6V, Ids=50% Idss

Power Added Efficiency at 1dB Compression

Vds=6V, Ids=50% Idss

Noise Figure

Vds=2V, Ids=15mA

Associated Gain

Vds=2V, Ids=15mA

f=12GHz

16.5

18.5*

11.5

9.5

P_1dB

dBm

f=18GHz

f=12GHz

f=18GHz

9.5

G_1dB

PAE

f=12GHz

1.1

f=12GHz

10.5

Idss

Saturated Drain Current

Transconductance

Vds=3V, Vgs=0V

Vds=3V, Ids=1.0mA

Igd=0.5mA

Pinch-off Voltage

-2.0

-15

-14

185

-3.5

BVgd

BVgs

Rth

Drain Breakdown Voltage

Source Breakdown Voltage

-10

-7

Igs=0.5mA

Thermal Resistance (Au-Sn Eutectic Attach)

^oC/W

*P_1dB= 19.5dBm can be obtained with 8v/50% Idss bias. Consult factory for wafer selection.

MAXIMUM RATINGS AT 25^OC

SYMBOLS

PARAMETERS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

ABSOLUTE¹

12V

CONTINUOUS²

Vds

Vgs

Ids

-8V

-4V

Idss

Igsf

Tch

Tstg

Forward Gate Current

Input Power

4mA

0.7mA

17dBm

175^oC

-65/175^oC

@ 3dB Compression

150^oC

-65/150^oC

Channel Temperature

Storage Temperature

Total Power Dissipation

740mW

625mW

Note: 1. Exceeding any of the above ratings may result in permanent damage.

2. Exceeding any of the above ratings may reduce MTTF below design goals.

Excelics Semiconductor, Inc., 2908 Scott Blvd., Santa Clara, CA 95054

Phone: (408) 970-8664 Fax: (408) 970-8998 Web Site: www.excelics.com

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