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EFA018A

更新时间： 2024-11-24 06:56:11
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EXCELICS /
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2页 106K
描述
Low Distortion GaAs Power FET

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EFA018A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIE
包装说明：UNCASED CHIP, R-XUUC-N4针数：4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：12 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-XUUC-N4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：UNCASED CHIP
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

EFA018A 数据手册

 浏览型号EFA018A的Datasheet PDF文件第2页 
EFA018A  
Excelics  
DATA SHEET  
Low Distortion GaAs Power FET  
•
•
•
•
VERY HIGH fmax: 100GHz  
+18.5dBm TYPICAL OUTPUT POWER  
11.5dB TYPICAL POWER GAIN AT 12GHz  
320  
60  
TYPICAL 1.1dB NOISE FIGURE AND 10.5dB ASSOCIATED  
GAIN AT 12GHz  
D
68  
290  
154  
•
•
•
0.3 X 180 MICRON RECESSED “MUSHROOM” GATE  
Si3N4 PASSIVATION  
ADVANCED EPITAXIAL DOPING PROFILE  
PROVIDES HIGH POWER EFFICIENCY,  
LINEARITY AND RELIABILITY  
G
S
S
50  
70  
80 90  
•
Idss SORTED IN 5mA PER BIN RANGE  
Chip Thickness: 75 ± 13 microns  
All Dimensions In Microns  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25 OC)  
SYMBOLS  
PARAMETERS/TEST CONDITIONS  
MIN TYP MAX UNIT  
Output Power at 1dB Compression  
Vds=6V, Ids=50% Idss  
Gain at 1dB Compression  
Vds=6V, Ids=50% Idss  
Power Added Efficiency at 1dB Compression  
Vds=6V, Ids=50% Idss  
Noise Figure  
Vds=2V, Ids=15mA  
Associated Gain  
Vds=2V, Ids=15mA  
f=12GHz  
16.5  
18.5*  
18.5*  
11.5  
9.5  
P1dB  
dBm  
dB  
%
f=18GHz  
f=12GHz  
f=18GHz  
9.5  
G1dB  
PAE  
NF  
f=12GHz  
f=12GHz  
35  
1.1  
dB  
dB  
f=12GHz  
10.5  
Ga  
Idss  
Gm  
Saturated Drain Current  
Transconductance  
Vds=3V, Vgs=0V  
25  
20  
50  
30  
80  
mA  
mS  
V
Vds=3V, Vgs=0V  
Vds=3V, Ids=1.0mA  
Igd=0.5mA  
Vp  
Pinch-off Voltage  
-2.0  
-15  
-14  
185  
-3.5  
BVgd  
BVgs  
Rth  
Drain Breakdown Voltage  
Source Breakdown Voltage  
-10  
-7  
V
Igs=0.5mA  
V
Thermal Resistance (Au-Sn Eutectic Attach)  
oC/W  
*P1dB = 19.5dBm can be obtained with 8v/50% Idss bias. Consult factory for wafer selection.  
MAXIMUM RATINGS AT 25OC  
SYMBOLS  
PARAMETERS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
ABSOLUTE1  
12V  
CONTINUOUS2  
6V  
Vds  
Vgs  
Ids  
-8V  
-4V  
Idss  
Idss  
Igsf  
Pin  
Tch  
Tstg  
Pt  
Forward Gate Current  
Input Power  
4mA  
0.7mA  
17dBm  
175oC  
-65/175oC  
@ 3dB Compression  
150oC  
-65/150oC  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Total Power Dissipation  
740mW  
625mW  
Note: 1. Exceeding any of the above ratings may result in permanent damage.  
2. Exceeding any of the above ratings may reduce MTTF below design goals.  
Excelics Semiconductor, Inc., 2908 Scott Blvd., Santa Clara, CA 95054  
Phone: (408) 970-8664 Fax: (408) 970-8998 Web Site: www.excelics.com  
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