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EDE5108AHSE-5C-E

更新时间： 2024-09-19 11:45:07

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率
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81页	871K
描述
512M bits DDR2 SDRAM

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EDE5108AHSE-5C-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.82	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	266 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
JESD-609代码：	e1	长度：	10.5 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	64MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA60,9X11,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.01 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.185 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

EDE5108AHSE-5C-E 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

512M bits DDR2 SDRAM

EDE5108AHSE (64M words × 8 bits)

EDE5116AHSE (32M words × 16 bits)

Features

Specifications

• Density: 512M bits

• Organization

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 4 bits

prefetch pipelined architecture

⎯ 16M words × 8 bits × 4 banks (EDE5108AHSE)

⎯ 8M words × 16 bits × 4 banks (EDE5116AHSE)

• Package

⎯ 60-ball FBGA (EDE5108AHSE)

⎯ 84-ball FBGA (EDE5116AHSE)

⎯ Lead-free (RoHS compliant)

• Power supply: VDD, VDDQ = 1.8V 0.1V

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Data rate: 800Mbps/667Mbps/533Mbps/400Mbps

(max.)

• Commands entered on each positive CK edge; data

• 1KB page size (EDE5108AHSE)

⎯ Row address: A0 to A13

⎯ Column address: A0 to A9

• 2KB page size (EDE5116AHSE)

⎯ Row address: A0 to A12

⎯ Column address: A0 to A9

• Four internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_18

and data mask referenced to both edges of DQS

• Data mask (DM) for write data

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-

Termination for better signal quality

• Programmable RDQS, /RDQS output for making × 8

organization compatible to × 4 organization

• /DQS, (/RDQS) can be disabled for single-ended

Data Strobe operation

• Burst lengths (BL): 4, 8

• Burst type (BT):

⎯ Sequential (4, 8)

⎯ Interleave (4, 8)

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5, 6

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Driver strength: normal/weak

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

⎯ Average refresh period

7.8μs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9μs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

⎯ TC = 0°C to +95°C

Document No. E0908E40 (Ver. 4.0)

Date Published December 2006 (K) Japan

This product became EOL in June, 2010.

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

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