是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA84,9X15,32 |
针数: | 84 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.28 |
风险等级: | 5.29 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.5 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 267 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B84 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 13 mm | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 84 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA84,9X15,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 4,8 |
最大待机电流: | 0.01 A | 子类别: | DRAMs |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 11 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDE5116AFSE-6E-E | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM (32M words x 16 bits) | |
EDE5116AHBG-4A-E | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM | |
EDE5116AHBG-5C-E | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM | |
EDE5116AHBG-6E-E | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM | |
EDE5116AHBG-8E-E | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM | |
EDE5116AHBG-8G-E | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM | |
EDE5116AHSE-4A-E | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM | |
EDE5116AHSE-5C-E | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM | |
EDE5116AHSE-6E-E | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM | |
EDE5116AHSE-8E-E | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM |