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EDE5116AFSE-6E-E

更新时间： 2024-11-25 22:49:15

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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描述
512M bits DDR2 SDRAM (32M words x 16 bits)

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EDE5116AFSE-6E-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数：	84	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.31	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.45 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	84	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	32MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA84,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.01 A	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

EDE5116AFSE-6E-E 数据手册

DATA SHEET

512M bits DDR2 SDRAM

EDE5116AFSE (32M words × 16 bits)

Description

Features

The EDE5116AFSE is a 512M bits DDR2 SDRAM

• Power supply: VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V

organized as 8,388,608 words × 16 bits × 4 banks.

It is packaged in 84-ball FBGA (µBGA^) package.

• Double-data-rate architecture: two data transfers per

clock cycle

• Bi-directional, differential data strobe (DQS and

/DQS) is transmitted/received with data, to be used in

capturing data at the receiver

• DQS is edge aligned with data for READs: center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge: data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Four internal banks for concurrent operation

• Data mask (DM) for write data

• Burst lengths: 4, 8

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5

• Auto precharge operation for each burst access

• Auto refresh and self refresh modes

• Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• SSTL_18 compatible I/O

• Posted CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-

Termination for better signal quality

• /DQS can be disabled for single-ended Data Strobe

operation.

• FBGA (µBGA) package with lead free solder

(Sn-Ag-Cu)

RoHS compliant

Document No. E0705E20 (Ver. 2.0)

Date Published July 2005 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2005

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