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EDE5116ABSA-5A-E

更新时间： 2024-11-26 19:00:47

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
56页	405K
描述
DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, MICRO, FBGA-84

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EDE5116ABSA-5A-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA, BGA84,9X15,32
针数：	84	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	267 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	84	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA84,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

EDE5116ABSA-5A-E 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

512M bits DDR-II SDRAM

EDE5104ABSA (128M words × 4 bits)

EDE5108ABSA (64M words × 8 bits)

EDE5116ABSA (32M words × 16 bits)

Features

Description

The EDE5104AB is a 512M bits DDR-II SDRAM

• 1.8V power supply

organized as 33,554,432 words × 4 bits × 4 banks.

• Double-data-rate architecture: two data transfers per

clock cycle

The EDE5108AB is a 512M bits DDR-II SDRAM

organized as 16,777,216 words × 8 bits × 4 banks.

• Bi-directional, differential data strobe (DQS and

/DQS) is transmitted/received with data, to be used in

capturing data at the receiver

It packaged in 64-ball FBGA (µBGA ) package.

The EDE5116AB is a 512M bits DDR-II SDRAM

organized as 8,388,608 words × 16 bits × 4 banks.

• DQS is edge aligned with data for READs: center-

aligned with data for WRITEs

It is packaged in 84-ball FBGA (µBGA) package.

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge: data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Four internal banks for concurrent operation

• Data mask (DM) for write data

• Burst lengths: 4, 8

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5

• Auto precharge operation for each burst access

• Auto refresh and self refresh modes

• 7.8µs average periodic refresh interval

• 1.8V (SSTL_18 compatible) I/O

• Posted CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-

Termination for better signal quality

• Programmable RDQS, /RDQS output for making × 8

organization compatible to × 4 organization

• /DQS, (/RDQS) can be disabled for single-ended

Data Strobe operation.

• FBGA(µBGA) package is lead free solder (Sn-Ag-Cu)

Document No. E0323E11 (Ver. 1.1)

Date Published November 2002 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7...56

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EDE5116ABSE-4C-E	ELPIDA	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84
EDE5116ABSE-5A-E	ELPIDA	获取价格	暂无描述
EDE5116ABSE-5C-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116AFSE	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM (32M words x 16 bits)
EDE5116AFSE-4A-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM (32M words x 16 bits)
EDE5116AFSE-5C-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM (32M words x 16 bits)
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