Datasheet > EDE5116AHBG-4A-E

EDE5116AHBG-4A-E

更新时间： 2024-11-23 12:50:23

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
75页	788K
描述
512M bits DDR2 SDRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

EDE5116AHBG-4A-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数：	84	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.34	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B84
长度：	12.5 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	84	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	32MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA84,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.008 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.22 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

EDE5116AHBG-4A-E 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

512M bits DDR2 SDRAM

EDE5108AHBG (64M words × 8 bits)

EDE5116AHBG (32M words × 16 bits)

Features

Specifications

• Density: 512M bits

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• Organization

• The high-speed data transfer is realized by the 4 bits

prefetch pipelined architecture

16M words × 8 bits × 4 banks (EDE5108AHBG)

8M words × 16 bits × 4 banks (EDE5116AHBG)

• Package

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

60-ball FBGA (EDE5108AHBG)

84-ball FBGA (EDE5116AHBG)

Lead-free (RoHS compliant)

• Power supply: VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

• Data rate: 800Mbps/667Mbps/533Mbps/400Mbps

transitions

(max.)

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• 1KB page size (EDE5108AHBG)

Row address: A0 to A13

Column address: A0 to A9

• 2KB page size (EDE5116AHBG)

Row address: A0 to A12

Column address: A0 to A9

• Four internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_18

• Data mask (DM) for write data

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-

Termination for better signal quality

• Programmable RDQS, /RDQS output for making × 8

organization compatible to × 4 organization

• Burst lengths (BL): 4, 8

• Burst type (BT):

• /DQS, (/RDQS) can be disabled for single-ended

Data Strobe operation

Sequential (4, 8)

Interleave (4, 8)

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5, 6

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Driver strength: normal/weak

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

Document No. E0933E30 (Ver. 3.0)

Date Published September 2006 (K) Japan

This product became EOL in June, 2010.

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2006

12 3 4 5 6 7...75

中文翻译

下载PDF

与EDE5116AHBG-4A-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EDE5116AHBG-5C-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116AHBG-6E-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116AHBG-8E-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116AHBG-8G-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116AHSE-4A-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116AHSE-5C-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116AHSE-6E-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116AHSE-8E-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116AHSE-8G-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116AJBG	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM

与EDE5116AHBG-4A-E相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

36
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

28
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

56
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

53

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

EDE5116AHBG-4A-E

EDE5116AHBG-4A-E 技术参数

EDE5116AHBG-4A-E 数据手册

与EDE5116AHBG-4A-E相关器件

与EDE5116AHBG-4A-E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

EDE5116AHBG-4A-E

EDE5116AHBG-4A-E 技术参数

EDE5116AHBG-4A-E 数据手册

与EDE5116AHBG-4A-E相关器件

与EDE5116AHBG-4A-E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？