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EDE5116AJSE-6E-E

更新时间： 2024-11-23 03:33:27

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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描述
512M bits DDR2 SDRAM

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EDE5116AJSE-6E-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数：	84	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.3	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.45 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	JESD-609代码：	e1
长度：	12.5 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	84	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	32MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA84,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.01 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.23 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	50
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

EDE5116AJSE-6E-E 数据手册

DATA SHEET

512M bits DDR2 SDRAM

EDE5104AJSE (128M words × 4 bits)

EDE5108AJSE (64M words × 8 bits)

EDE5116AJSE (32M words × 16 bits)

Features

Specifications

• Density: 512M bits

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• Organization

• The high-speed data transfer is realized by the 4 bits

prefetch pipelined architecture

32M words × 4 bits × 4 banks (EDE5104AJSE)

16M words × 8 bits × 4 banks (EDE5108AJSE)

8M words × 16 bits × 4 banks (EDE5116AJSE)

• Package

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

60-ball FBGA (EDE5104/08AJSE)

84-ball FBGA (EDE5116AJSE)

Lead-free (RoHS compliant)

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Power supply: VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V

• Data rate: 800Mbps/667Mbps (max.)

• 1KB page size

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

Row address: A0 to A13

• Data mask (DM) for write data

Column address: A0 to A9, A11 (EDE5104AJSE)

A0 to A9 (EDE5108AJSE)

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• 2KB page size (EDE5116AJSE)

Row address: A0 to A12

Column address: A0 to A9

• Four internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_18

• Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-

Termination for better signal quality

• Programmable RDQS, /RDQS output for making × 8

organization compatible to × 4 organization

• /DQS, (/RDQS) can be disabled for single-ended

• Burst lengths (BL): 4, 8

• Burst type (BT):

Data Strobe operation

Sequential (4, 8)

Interleave (4, 8)

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5, 6

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Driver strength: normal/weak

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

Document No. E1043E40 (Ver. 4.0)

Date Published February 2008 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2007-2008

12 3 4 5 6 7...77

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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EDE5116AJSE-8E-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM
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