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EDE5132AABG-6E-F

更新时间： 2024-09-19 06:55:55

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
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描述
512M bits DDR2 SDRAM

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EDE5132AABG-6E-F 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	128
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B128	JESD-609代码：	e1
长度：	13.5 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	128	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	16MX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	10.5 mm	Base Number Matches：	1

EDE5132AABG-6E-F 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

512M bits DDR2 SDRAM

EDE5132AABG (16M words × 32 bits)

Specifications

Features

• Density: 512M bits

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• Organization

• The high-speed data transfer is realized by the 4 bits

prefetch pipelined architecture

4M words × 32 bits × 4 banks

• Package

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

128-ball FBGA

Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free

• Power supply: VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V

• Data rate

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

800Mbps/667Mbps (max.)

• 2KB page size

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

Row address: A0 to A12

Column address: A0 to A8

• Four internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_18

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Data mask (DM) for write data

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Burst lengths (BL): 4, 8

• Burst type (BT):

• /DQS can be disabled for single-ended Data Strobe

operation

Sequential (4, 8)

Interleave (4, 8)

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5, 6

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Driver strength: normal, weak, 1/4

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

Document No. E1115E40 (Ver. 4.0)

Date Published July 2008 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2007-2008

12 3 4 5 6 7...74

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