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EDE5108GBSA-4A-E

更新时间： 2024-11-07 22:38:51

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
56页	375K
描述
512M bits DDR-II SDRAM

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EDE5108GBSA-4A-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA, BGA64,9X15,32
针数：	64	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B64
JESD-609代码：	e1	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	64	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA64,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

EDE5108GBSA-4A-E 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

512M bits DDR-II SDRAM

EDE5104GBSA (128M words × 4 bits)

EDE5108GBSA (64M words × 8 bits)

EDE5116GBSA (32M words × 16 bits)

Features

Description

The EDE5104GB is a 512M bits DDR-II SDRAM

• 1.8V power supply

organized as 33,554,432 words × 4 bits × 4 banks.

• Double-data-rate architecture: two data transfers per

clock cycle

The EDE5108GB is a 512M bits DDR-II SDRAM

organized as 16,777,216 words × 8 bits × 4 banks.

• Bi-directional, differential data strobe (DQS and

/DQS) is transmitted/received with data, to be used in

capturing data at the receiver

It packaged in 64-ball µBGA package.

• DQS is edge aligned with data for READs: center-

aligned with data for WRITEs

The EDE5116GB is a 512M bits DDR-II SDRAM

organized as 8,388,608 words × 16 bits × 4 banks.

• Differential clock inputs (CK and /CK)

It is packaged in 84-ball µBGA package.

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge: data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Four internal banks for concurrent operation

• Data mask (DM) for write data

• Burst lengths: 4, 8

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5

• Auto precharge operation for each burst access

• Auto refresh and self refresh modes

• 7.8µs average periodic refresh interval

• 1.8V (SSTL_18 compatible) I/O

• Posted CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-

Termination for better signal quality

• Programmable RDQS, /RDQS output for making × 8

organization compatible to × 4 organization

• /DQS, (/RDQS) can be disabled for single-ended

Data Strobe operation.

• µBGA package is lead free solder (Sn-Ag-Cu)

Document No. E0249E30 (Ver. 3.0)

Date Published August 2002 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7...56

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EDE5108GBSA-5A-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR-II SDRAM
EDE5116ABSA-5A-E	ELPIDA	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, MICRO, FBGA-84
EDE5116ABSE	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116ABSE-4A-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116ABSE-4C-E	ELPIDA	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84
EDE5116ABSE-5A-E	ELPIDA	获取价格	暂无描述
EDE5116ABSE-5C-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116AFSE	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM (32M words x 16 bits)
EDE5116AFSE-4A-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM (32M words x 16 bits)
EDE5116AFSE-5C-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR2 SDRAM (32M words x 16 bits)

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