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EDE5108GASA-4A-E

更新时间： 2024-09-19 06:55:55

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
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45页	467K
描述
512M bits DDR-II SDRAM

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EDE5108GASA-4A-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA,
针数：	60	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
长度：	12.4 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11.3 mm
Base Number Matches：	1

EDE5108GASA-4A-E 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

512M bits DDR-II SDRAM

EDE5104GASA (128M words × 4 bits)

EDE5108GASA (64M words × 8 bits)

Pin Configurations

Description

The EDE5104GA is a 512M bits DDR-II SDRAM

/xxx indicates active low signal.

60-ball FBGA

organized as 33,554,432 words × 4 bits × 4 banks.

The EDE5108GA is a 512M bits DDR-II SDRAM

organized as 16,777,216 words × 8 bits × 4 banks.

NU/ /RDQS

(NC)*

VDD

VSS

VSSQ /DQS VDDQ

It is packaged in 60-ball FBGA package.

DQ6

(NC)*

DQ7

DQS VSSQ

(NC)*

DM/RDQS

(DM)*

Features

VSSQ

• 1.8V power supply

VDDQ

DQ1 VDDQ

VSSQ DQ3

VREF VSS

CKE /WE

VDDQ DQ0 VDDQ

• Double-data-rate architecture: two data transfers per

clock cycle

DQ4

(NC)*

DQ5

DQ2 VSSQ

(NC)*

• Bi-directional, differential data strobe (DQS and

/DQS) is transmitted/received with data, to be used in

capturing data at the receiver

VDDL

VSSDL CK

VDD

/RAS

/CAS

/CK

/CS

• DQS is edge aligned with data for READs: center-

aligned with data for WRITEs

BA0

A10

BA1

• Differential clock inputs (CK and /CK)

VDD

VSS

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

VSS

VDD

• Commands entered on each positive CK edge: data

and data mask referenced to both edges of DQS

A11

• Four internal banks for concurrent operation

• Data mask (DM) for write data

A12

• Burst lengths: 4 only

(Top view)

Note: ( )* marked pins are for EDE5104GA.

• /CAS Latency (CL): 3, 4

• Auto precharge operation for each burst access

• Auto refresh and self refresh modes

• 7.8µs maximum average periodic refresh interval

• 1.8V (SSTL_18 compatible) I/O

A0 to A12

BA0, BA1

DQ0 to DQ7

DQS, /DQS

RDQS, /RDQS

/CS

/RAS, /CAS, /WE

CKE

CK, /CK

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

VREF

VDDL

VSSDL

NC*¹

NU*²

Address input

Bank select address

Data-input/output

Differential data strobe

Differential data strobe for read

Chip select

Command input

Clock enable

Differential Clock input

Output mask

Power for internal circuit

Ground for internal circuit

Power for DQ circuit

Ground for DQ circuit

Reference supply voltage

Power for DLL circuit

Ground for DLL circuit

No connection

• Off-Chip-Driver Impedance Adjustment for better

signal quality.

• Programmable RDQS, /RDQS output for the

compatibility to × 4 organization

• /DQS, (/RDQS) can be disabled for single-ended

Data Strobe operation.

• FBGA package is lead free solder (Sn-Ag-Cu)

Not usable

Notes: 1. Not internally connected with die.

2. Don't connect. Internally connected with die.

Document No. E0203E41 (Ver. 4.1)

Date Published February 2006 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

This product became EOL in March, 2004.

Elpida Memory, Inc. 2001-2006

12 3 4 5 6 7...45

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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EDE5108GBSA	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR-II SDRAM
EDE5108GBSA-4A-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR-II SDRAM
EDE5108GBSA-5A-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR-II SDRAM
EDE5116ABSA-5A-E	ELPIDA	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, MICRO, FBGA-84
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