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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.27 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 180 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 11.5 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ77B-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 600V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ78 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ78-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 800V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ78-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 800V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BUZ78-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 800V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| BUZ80 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ80 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| BUZ80A | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode) |
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| BUZ80A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 800V - 2.5ohm - 3.8A - TO-220 FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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