BUZ100S

更新时间： 2024-01-28 09:10:45

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描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)

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BUZ100S 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	70 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUZ100S 数据手册

BUZ 100 S

SPP77N05

SIPMOS Power Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Avalanche-rated

• dv/dt rated

• 175°C operating temperature

• also in SMD available

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Ordering Code

V_DS

I_D

R_DS(on

)

BUZ 100 S

55 V

77 A

0.015

TO-220 AB

Q67040-S4001-A2

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Continuous drain current

T = 25 °C

T = 100 °C

Pulsed drain current

Dpuls

T = 25 °C

308

Avalanche energy, single pulse

I = 77 A, V = 25 V, R = 25

L = 128 µH, T = 25 °C

380

Avalanche current,limited by T

jmax

Avalanche energy,periodic limited by T

jmax

Reverse diode dv/dt

dv/dt

kV/µs

I = 77 A, V = 40 V, di /dt = 200 A/µs

= 175 °C

jmax

Gate source voltage

Power dissipation

tot

T = 25 °C

170

Semiconductor Group

30/Jan/1998

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUZ100S4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| ARRAY \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| SO
BUZ100S-4	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 55V, 0.02ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BUZ100SE3045	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 77A I(D) \| TO-263AB
BUZ100SE3045A	ETC	获取价格	N-Channel Enhancement MOSFET
BUZ100SL	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated)
BUZ100SL4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| ARRAY \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 7.4A I(D) \| SO
BUZ100SL-4	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated d v/d t
BUZ100SLE3045	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 70A I(D) \| TO-263AB
BUZ100SLE3045A	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BUZ100SQ67040W4001A2	ETC	获取价格	TRANSISTOR LEISTUNGS MOSFET