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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.23 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 380 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 77 A | 最大漏极电流 (ID)： | 77 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 170 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 308 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ100S4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
|
| BUZ100S-4 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 55V, 0.02ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BUZ100SE3045 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 77A I(D) | TO-263AB |
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| BUZ100SE3045A | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| BUZ100SL | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated) |
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| BUZ100SL4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 7.4A I(D) | SO |
|
| BUZ100SL-4 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated d v/d t |
|
| BUZ100SLE3045 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB |
|
| BUZ100SLE3045A | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BUZ100SQ67040W4001A2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR LEISTUNGS MOSFET |
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