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BUK9606-55B,118

更新时间： 2024-09-17 14:48:11
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恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 176K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin

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BUK9606-55B,118 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：D2PAK包装说明：PLASTIC, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.2其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：679 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：146 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.0064 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：258 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：587 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUK9606-55B,118 数据手册

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BUK9606-55B  
N-channel TrenchMOS FET  
Rev. 04 — 23 July 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using  
TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate  
AEC standard for use in automotive critical applications.  
1.2 Features and benefits  
„ Low conduction losses due to low  
„ Suitable for logic level gate drive  
on-state resistance  
sources  
„ Q101 compliant  
„ Suitable for thermally demanding  
environments due to 175 °C rating  
1.3 Applications  
„ 12 V and 24 V loads  
„ Automotive systems  
„ General purpose power switching  
„ Motors, lamps and solenoids  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference  
Symbol Parameter  
Conditions  
drain-source voltage Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
Min  
Typ  
Max Unit  
VDS  
ID  
-
-
-
-
55  
75  
V
A
[1]  
drain current  
VGS = 5 V; Tmb = 25 °C;  
see Figure 1 and 3  
Ptot  
total power  
dissipation  
Tmb = 25 °C; see Figure 2  
-
-
-
-
258  
679  
W
Avalanche ruggedness  
EDS(AL)S non-repetitive  
drain-source  
ID = 75 A; Vsup ≤ 55 V;  
RGS = 50 Ω; VGS = 5 V;  
Tj(init) = 25 °C; unclamped  
mJ  
avalanche energy  
Dynamic characteristics  
QGD  
gate-drain charge  
VGS = 5 V; ID = 25 A;  
VDS = 44 V; Tj = 25 °C;  
see Figure 14 and 15  
-
22  
-
nC  
 
 
 
 
 
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BUK9606-55B,118 替代型号

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