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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 352 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (ID)： | 110 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0093 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 439 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK9608-55T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-404 |
|
| BUK9609-40B | NEXPERIA |
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N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
|
| BUK9609-40B,118 | NXP |
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N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK9609-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS logic level FET |
|
| BUK9609-75A | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET |
|
| BUK9609-75A | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
|
| BUK9609-75A/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,75V V(BR)DSS,75A I(D),TO-263AB |
|
| BUK9610-100B | NXP |
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TrenchMOS⑩ logic level FET |
|
| BUK9610-100B,118 | ETC |
获取价格 |
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK |
|
| BUK9610-30 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Logic level FET |
|
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