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BUK9610-30

更新时间： 2024-11-07 20:28:11
品牌 Logo 应用领域
飞利浦 - PHILIPS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 49K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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BUK9610-30 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：142 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

BUK9610-30 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
TrenchMOS transistor  
Logic level FET  
BUK9610-30  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode logic  
level field-effect power transistor in a  
plastic envelope suitable for surface  
mounting using ’trench’ technology.  
Thedevicefeaturesverylowon-state  
resistance and has integral zener  
diodes giving ESD protection up to  
2kV. It is intended for use in  
automotive and general purpose  
switching applications.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Ptot  
Tj  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
30  
75  
142  
175  
10.5  
V
A
W
˚C  
mΩ  
RDS(ON)  
resistance  
VGS = 5 V  
PINNING - SOT404  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
mb  
gate  
2
drain  
g
3
source  
2
mb drain  
s
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
ID  
IDM  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
-
-
-
-
-
-
-
-
30  
30  
10  
75  
53  
240  
142  
175  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
RGS = 20 kΩ  
-
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage & operating temperature  
Ptot  
Tstg, Tj  
- 55  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
mounting base  
Thermal resistance junction to  
ambient  
-
-
1.05  
K/W  
minimum footprint, FR4  
board  
50  
-
K/W  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge capacitor  
voltage  
Human body model  
(100 pF, 1.5 kΩ)  
-
2
kV  
December 1997  
1
Rev 1.100  
12345678

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与BUK9610-30相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK9610-30,118 NXP

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 		75A, 30V, 0.0105ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BUK9610-30118 NXP

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 		TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
BUK9610-55A NXP

获取价格

 		TrenchMOS logic level FET
BUK9610-55A/T3 NXP

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 		TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene
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 		N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK9612-55B NXP

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 		TrenchMOS⑩ logic level FET
BUK9612-55B NEXPERIA

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 		N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK9612-55B,118 NXP

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 		N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin

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