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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUK9615-100A
BUK9615-100A PDF预览

BUK9615-100A

更新时间： 2024-09-16 21:55:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 72K
描述
N-Channel Enhancement mode logic Level field-Effect power Transistor

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BUK9615-100A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：PLASTIC, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.17
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.016 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：313 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUK9615-100A 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
TrenchMOS transistor  
Logic level FET  
BUK9515-100A  
BUK9615-100A  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode logic  
level field-effect power transistor in a  
plastic envelope available in  
TO220AB and SOT404 . Using  
’trench’ technology which features  
very low on-state resistance. It is  
intended for use in automotive and  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Ptot  
Tj  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
100  
75  
230  
175  
V
A
W
˚C  
RDS(ON)  
general  
purpose  
switching  
resistance  
V
GS = 5 V  
15  
14.4  
mΩ  
mΩ  
applications.  
VGS = 10 V  
PINNING  
TO220AB & SOT404  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN DESCRIPTION  
tab  
d
mb  
1
2
3
gate  
drain  
source  
2
g
1
2 3  
1
3
TO220AB  
SOT404  
tab/mb drain  
s
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Non-repetitive gate-source voltage tp≤50µS  
-
-
-
-
-
100  
100  
10  
V
V
V
V
VDGR  
±VGS  
±VGSM  
RGS = 20 kΩ  
-
15  
ID  
ID  
IDM  
Ptot  
Tstg, Tj  
Drain current (DC)  
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage & operating temperature  
Tmb = 25 ˚C  
-
-
-
-
75  
53  
313  
230  
175  
A
A
A
W
˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
- 55  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
mounting base  
Thermal resistance junction to  
ambient(TO220AB)  
Thermal resistance junction to  
ambient(SOT404)  
-
-
0.65  
K/W  
in free air  
60  
50  
-
-
K/W  
K/W  
Minimum footprint, FR4  
board  
November 1999  
1
Rev 1.000  
1234567...9

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BUK9615-100A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BUK9615-100A,118 NXP

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK9615-100A,118 NXP

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 		N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin
BUK9616-55A/T3 NXP

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 		TRANSISTOR 66 A, 55 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene
BUK9616-75B NXP

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