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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 55 A | 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 220 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK9618-30,118 | NXP |
获取价格 |
55A, 30V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| BUK9618-30118 | NXP |
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TRANSISTOR 55 A, 30 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK9618-55 | NXP |
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TrenchMOS transistor Logic level FET |
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| BUK9618-55,118 | NXP |
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BUK9618-55 |
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| BUK9618-55/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 57 A, 55 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK9618-55A | NXP |
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TrenchMOS logic level FET |
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| BUK9618-55A/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 61 A, 55 V, 0.019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene |
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| BUK9618-55-T | NXP |
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暂无描述 |
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| BUK9618-55T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 57 A, 55 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SMD, D2PAK-3, FET |
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| BUK961R5-30E | NXP |
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N-channel TrenchMOS logic level FET |
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