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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTION |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0105 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK9610-55A | NXP |
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TrenchMOS logic level FET |
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| BUK9610-55A/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene |
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| BUK9611-55A | NXP |
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TrenchMOS logic level FET |
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| BUK9611-55A/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene |
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| BUK9611-80E | NEXPERIA |
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N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
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| BUK9612-55B | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS⑩ logic level FET |
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| BUK9612-55B | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
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| BUK9612-55B,118 | NXP |
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N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK9614-30 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Logic level FET |
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| BUK9614-30,118 | NXP |
获取价格 |
69A, 30V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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