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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.23 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 330 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.012 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 166 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 266 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK9611-55A/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene |
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| BUK9611-80E | NEXPERIA |
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N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
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| BUK9612-55B | NXP |
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TrenchMOS⑩ logic level FET |
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| BUK9612-55B | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
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| BUK9612-55B,118 | NXP |
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N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK9614-30 | NXP |
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TrenchMOS transistor Logic level FET |
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| BUK9614-30,118 | NXP |
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69A, 30V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| BUK9614-30118 | NXP |
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TRANSISTOR 69 A, 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK9614-55 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Logic level FET |
|
| BUK9614-55/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 68 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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