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BUK9609-40B,118

更新时间： 2024-12-01 21:21:15

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	156K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin

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BUK9609-40B,118 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.21	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	241 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	95 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.01 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	157 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	383 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK9609-40B,118 数据手册

BUK9609-40B

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 02 — 7 June 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

 Low conduction losses due to low

 Suitable for logic level gate drive

on-state resistance

sources

 Q101 compliant

 Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

 12 V loads

 General purpose power switching

 Motors, lamps and solenoids

 Automotive systems

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

[1]

I_D

drain current

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

157

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C

6.2

7.6

mΩ

on-state

resistance

V_GS= 5 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C;

see Figure 11; see Figure 12

12 3 4 5 6 7...14

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BUK9609-40B,118 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUK9609-40B	NEXPERIA	功能相似	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9609-55A	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9609-75A	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK9609-75A	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK9609-75A/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,75V V(BR)DSS,75A I(D),TO-263AB
BUK9610-100B	NXP	获取价格	TrenchMOS⑩ logic level FET
BUK9610-100B,118	ETC	获取价格	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
BUK9610-30	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9610-30	PHILIPS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
BUK9610-30,118	NXP	获取价格	75A, 30V, 0.0105ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BUK9610-30118	NXP	获取价格	TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

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