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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.24 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 629 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A | 最大漏极电流 (ID)： | 110 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.011 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 438 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK9610-100B,118 | ETC |
获取价格 |
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK |
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| BUK9610-30 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Logic level FET |
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| BUK9610-30 | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| BUK9610-30,118 | NXP |
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75A, 30V, 0.0105ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| BUK9610-30118 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK9610-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS logic level FET |
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| BUK9610-55A/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene |
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| BUK9611-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS logic level FET |
|
| BUK9611-55A/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene |
|
| BUK9611-80E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
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