Datasheet > BUK9606-75B,118

BUK9606-75B,118

更新时间： 2024-11-07 21:13:27

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	186K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BUK9606-75B,118 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.2	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	852 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.0066 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	612 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK9606-75B,118 数据手册

BUK9606-75B

D2P

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 4 — 20 July 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

 AEC Q101 compliant

 Suitable for logic level gate drive

sources

 Low conduction losses due to low

on-state resistance

 Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

 12 V, 24 V and 42 V loads

 Automotive systems

 General purpose power switching

 Motors, lamps and solenoids

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

[1]

I_D

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

300

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C

4.7

5.2

5.5

6.1

mΩ

V_GS= 5 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C;

see Figure 11; see Figure 12

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

BUK9606-75B,118 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUK9606-75B	NEXPERIA	功能相似	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK9606-75B	NXP	功能相似	TrenchMOS logic level FET

与BUK9606-75B,118相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9607-30B	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9607-30B	PHILIPS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
BUK9608-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9608-55,118	NXP	获取价格	BUK9608-55 - N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin
BUK9608-55A	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9608-55A/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 125 A, 55 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Ge
BUK9608-55B	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK9608-55B	PHILIPS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
BUK9608-55B	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK9608-55B,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin

与BUK9606-75B,118相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

16
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

13
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

37
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

34

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK9606-75B,118

BUK9606-75B,118 技术参数

BUK9606-75B,118 数据手册

BUK9606-75B,118 替代型号

与BUK9606-75B,118相关器件

与BUK9606-75B,118相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK9606-75B,118

BUK9606-75B,118 技术参数

BUK9606-75B,118 数据手册

BUK9606-75B,118 替代型号

与BUK9606-75B,118相关器件

与BUK9606-75B,118相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？