Datasheet > BUK755R2-40B,127

BUK755R2-40B,127

更新时间： 2024-11-23 19:57:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	185K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BUK755R2-40B,127 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220	包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.2	雪崩能效等级（Eas）：	494 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0052 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	203 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	573 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK755R2-40B,127 数据手册

BUK755R2-40B

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 02 — 16 January 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

Q101 compliant

Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

Suitable for standard level gate drive

sources

1.3 Applications

12 V loads

General purpose power switching

Motors, lamps and solenoids

Automotive systems

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3;

[1]

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

203

494

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

I_D= 75 A; V_sup≤ 40 V;

R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V;

T_j(init)= 25 °C; unclamped

avalanche energy

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

V_DS= 32 V; T_j= 25 °C; see

Figure 14

Static characteristics

R_DSon

drain-source

on-state resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C; see Figure 11;

see Figure 12

4.4

5.2

mΩ

[1] Continuous current is limited by package.

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

BUK755R2-40B,127 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STP150NF04	STMICROELECTRONICS	功能相似	N沟道40 V、0.005 Ohm、80 A STripFET(TM) II功率MOSFE
STP95N4F3	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 40V - 5.4mOHM - 80A - DPAK - TO-220 - IPAK STripFET TM Power MOSFET

与BUK755R2-40B,127相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK755R4-100E	NXP	获取价格	120A, 100V, 0.0052ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN
BUK755R4-100E,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin
BUK7560-100A	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
BUK7560-100A,127	NXP	获取价格	BUK7560-100A
BUK7575-100A	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
BUK7575-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7575-55A	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
BUK7575-55A,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin
BUK7604-40A	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
BUK7604-40A,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin

与BUK755R2-40B,127相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

35
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

26
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

54
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK755R2-40B,127

BUK755R2-40B,127 技术参数

BUK755R2-40B,127 数据手册

BUK755R2-40B,127 替代型号

与BUK755R2-40B,127相关器件

与BUK755R2-40B,127相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK755R2-40B,127

BUK755R2-40B,127 技术参数

BUK755R2-40B,127 数据手册

BUK755R2-40B,127 替代型号

与BUK755R2-40B,127相关器件

与BUK755R2-40B,127相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？