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BUK7608-40B/T3

更新时间： 2024-11-23 14:48:11

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
14页	82K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,101A I(D),TO-263AB

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BUK7608-40B/T3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	101 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	157 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

BUK7608-40B/T3 数据手册

BUK75/7608-40B

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 03 — 28 November 2007

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

NXP High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology.

1.2 Features

I Very low on-state resistance

I Q101 compliant

I 175 °C rated

I Standard level compatible

1.3 Applications

I Automotive systems

I General purpose power switching

I 12 V loads

I Motors, lamps and solenoids

1.4 Quick reference data

I E_DS(AL)S≤ 241 mJ

I I_D≤ 75 A

I R_DSon= 6.6 mΩ (typ)

I P_tot≤ 157 W

2. Pinning information

Table 1.

Pinning - SOT78 and SOT404, simpliﬁed outlines and symbol

Description

Gate (G)

Simpliﬁed outline

Symbol

[1]

Drain (D)

Source (S)

mounting base,

connected to

drain (D)

mbb076

SOT404 (D2PAK)

2 3

SOT78 (TO-220AB)

[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.

12 3 4 5 6 7...14

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BUK7608-55A/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene
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